上海伯東代理美國(guó) KRI 射頻離子源應(yīng)用于多層膜磁控濺鍍?cè)O(shè)備 Multilayer sputter, 通過(guò)使用 KRI 射頻離子源可實(shí)現(xiàn)基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速度, 并且離子源在材料沉積過(guò)程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密. 膜基附著力更好, 膜層不易脫落.
多層膜的結(jié)構(gòu)廣泛用于各個(gè)**域, 而對(duì)于精密系統(tǒng)則需要更嚴(yán)格的規(guī)格, 包括光, 聲音和電子組件. 在單一材料薄膜無(wú)法滿足所需規(guī)格的精密系統(tǒng)中, 高質(zhì)量多層膜的作用變得越來(lái)越重要. 因此, 新材料的開(kāi)發(fā)和薄膜的精確控制制程已成為當(dāng)前多層薄膜研究的重要方向. 特殊設(shè)計(jì)的多層膜磁控濺鍍系統(tǒng)擁有基板公自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu), 可實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的多層膜結(jié)構(gòu)并可以一次批量生產(chǎn).
多層膜磁控濺鍍?cè)O(shè)備 Multilayer sputter 載臺(tái)可公自轉(zhuǎn)或定在靶材位置自轉(zhuǎn)
上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 參數(shù):
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型號(hào)
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RFICP 40
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RFICP 100
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RFICP 140
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RFICP 220
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RFICP 380
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Discharge 陽(yáng)極
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
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離子束流
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>100 mA
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>350 mA
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>600 mA
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>800 mA
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>1500 mA
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離子動(dòng)能
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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柵極直徑
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4 cm Φ
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10 cm Φ
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14 cm Φ
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20 cm Φ
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30 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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3-10 sccm
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5-30 sccm
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5-30 sccm
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10-40 sccm
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15-50 sccm
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通氣
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型壓力
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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長(zhǎng)度
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12.7 cm
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23.5 cm
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24.6 cm
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30 cm
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39 cm
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直徑
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13.5 cm
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19.1 cm
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24.6 cm
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41 cm
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59 cm
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中和器
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LFN 2000
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上海伯東美國(guó) KRI 提供霍爾離子源, 考夫曼離子源和射頻離子源, 歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD **域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.
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